Книга посвящена одному из перспективных направлений микроэлектроники — интегральным схемам на МДП-транзисторах. В ней рассмотрены физические основы работы и математическая модель МДП-транзистора. Приведена классификация транзисторов, использующих полевой эффект, и элементарных ключевых схем, являющихся основой логических ключевых элементов. Дан анализ работы основных типов ключевых схем и приведены формулы, связывающие параметры схем с параметрами транзисторов. Обсуждаются вопросы расчета и проектирования топологических чертежей. Описаны основные технологические процессы изготовления МДП интегральных схем и пути их дальнейшего совершенствования. Рассмотрены вопросы применения МДП-транзисторов при создании интегральных схем с высокой степенью интеграции — больших интегральных схем (БИС). Книга рассчитана на инженеров, работающих в области радиоэлектроники и электронной техники, научных работников, интересующихся применением МДП-транзисторов, а также на студентов, специализирующихся в области радиоэлектроники, электронной техники и микроэлектроники. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1971 года (издательство "Советское радио "). Внимание! На данный товар не распространяются ни оптовые, ни накопительные скидки. Эта книга будет изготовлена в соответствии с Вашим заказом по технологии Print-on-Demand. Print-on-Demand - это технология печати книг по Вашему заказу на цифровом типографском оборудовании.

В наличии:
	My-shop.ru - 490 руб.	Перейти

Рейтинг книги: 5 из 5, 8 голос(-ов).