Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования
Автор:
М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков, 424 стр., серия:
"Электроника",
издатель:
"Бином. Лаборатория знаний", ISBN:
978-5-94774-583-2
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области
Под заказ: |
|
OZON.ru - 372 руб.
|
Перейти
|
|
|
Рейтинг книги:



4 из 5,
5 голос(-ов).