Структурные фазовые переходы в хемосорбированных слоях. Труды ИОФАН. Том 66
Автор:
Ельцов К.Н., 208 стр., серия:
"Труды ИОФАН",
издатель:
"Наука", ISBN:
978-5-02-037473-7
В сборнике статей представлены результаты исследований поверхностных атомных структур, образованных при взаимодействии молекулярных галогенов с основными гранями благородных металлов Си, Ag и Аи и гранью (100) полупроводника GaAs, а также результаты изучения поверхности Si(100)-c(6x2)-Ag. Для изучения процессов формирования и трансформации поверхностных структур применены современные методы исследования, такие как низкотемпературная сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия и расчеты, основанные на теории функционала плотности, что позволяет на атомном уровне проследить за развитием структурных фазовых переходов, начиная с самых малых степеней покрытия от 0.01 монослоя. Предназначен для специалистов и аспирантов, работающих в области физики поверхности и физики низкоразмерных систем.
Рейтинг книги:



4 из 5,
1 голос(-ов).