Field-effect transistor
Автор:
Jesse Russell,Ronald Cohn, 110 стр., издатель:
"Книга по Требованию", ISBN:
978-5-5084-9580-0
High Quality Content by WIKIPEDIA articles! The field-effect transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are unipolar transistors as they involve single-carrier-type operation. The concept of the FET predates the Bipolar junction transistor (BJT), though it was not physically implemented until after BJTs due to the limitations of semiconductor materials and the relative ease of manufacturing BJTs compared to FETs at the time. Данное издание представляет собой компиляцию сведений, находящихся в свободном доступе в среде Интернет в целом, и в информационном сетевом ресурсе "Википедия" в частности. Собранная по частотным запросам указанной тематики, данная компиляция построена по принципу подбора близких информационных ссылок, не имеет самостоятельного сюжета, не содержит никаких аналитических материалов, выводов, оценок морального, этического,...
Рейтинг книги:



4 из 5,
9 голос(-ов).