Self-aligned gate
Автор:
Jesse Russell,Ronald Cohn, 102 стр., издатель:
"Книга по Требованию", ISBN:
978-5-5083-2027-0
High Quality Content by WIKIPEDIA articles! In electronics, a self-aligned gate is a transistor manufacturing feature whereby a refractory gate electrode region of a MOSFET transistor is used as a mask for the doping of the source and drain regions. This technique ensures that the gate will slightly overlap the edges of the source and drain. Данное издание представляет собой компиляцию сведений, находящихся в свободном доступе в среде Интернет в целом, и в информационном сетевом ресурсе "Википедия" в частности. Собранная по частотным запросам указанной тематики, данная компиляция построена по принципу подбора близких информационных ссылок, не имеет самостоятельного сюжета, не содержит никаких аналитических материалов, выводов, оценок морального, этического, политического, религиозного и мировоззренческого характера в отношении главной тематики, представляя собой исключительно фактологический материал.
Рейтинг книги:



4 из 5,
5 голос(-ов).