Электронные явления переноса в полупроводниках
Автор:
Б. М. Аскеров, 318 стр., издатель:
"Книга по Требованию", ISBN:
978-5-458-26803-5
Посвящена систематическому п подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1985 года (издательство "Наука"). Внимание! На данный товар не распространяются ни оптовые, ни накопительные скидки. Эта книга будет изготовлена в соответствии с Вашим заказом по технологии Print-on-Demand. Print-on-Demand - это технология печати книг по Вашему заказу на цифровом типографском оборудовании.
В наличии: |
|
My-shop.ru - 990 руб.
|
Перейти
|
|
|
Рейтинг книги:



4 из 5,
9 голос(-ов).