В монографии рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда.Для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей вузов. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1986 года (издательство "ФАИ"). Внимание! На данный товар не распространяются ни оптовые, ни накопительные скидки. Эта книга будет изготовлена в соответствии с Вашим заказом по технологии Print-on-Demand. Print-on-Demand - это технология печати книг по Вашему заказу на цифровом типографском оборудовании.

В наличии:
	My-shop.ru - 1183 руб.	Перейти

Рейтинг книги: 5 из 5, 4 голос(-ов).