В монографии систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследований механизмов их деградации. Авторы существенно опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированы различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с р — п-переходом, гетеропереходом, барьером Шотткн. Рассмотрены пути повышения их надежности. Для облегчения понимания процессов деградации лавинных диодов приведено краткое изложение физических основ лавинного размножения и результатов экспериментального изучения параметров, характеризующих процесс ударной ионизации в полупроводниках. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1986 года (издательство "Наукова думка"). Внимание! На данный товар не распространяются ни оптовые, ни накопительные скидки. Эта книга будет изготовлена в соответствии с Вашим заказом по технологии Print-on-Demand. Print-on-Demand - это технология печати книг по Вашему заказу на цифровом типографском оборудовании.

В наличии:
	My-shop.ru - 1182 руб.	Перейти

Рейтинг книги: 4 из 5, 5 голос(-ов).